Batch wafer systems

Batch Wafer Systeme

Die Plasmaanlagen für den Batchprozess von PVA Metrology & Plasma Solutions folgen alle dem gleichen Prinzip der Plasmaerzeugung: der direkten Einkopplung der hochfrequenten Anregung von der atmosphärischen Seite in die Vakuumkammer. Dabei befinden sich der Gaseinlass auf der einen Seite der Kammer und die Vakuumabsaugung auf der gegenüberliegenden. Durch diese Kammergeometrie wird ein besonders gleichmäßiges Prozessergebnis erreicht.

Das modular aufgebaute Steuerungssystem nutzt einen Prozessor der jeweils neuesten Generation, eine Linux-basierte Plattform als Betriebssystem sowie eine grafische Benutzeroberfläche (GUI). Damit lassen sich die Prozesse sowohl manuell als auch vollautomatisch steuern, die Prozessgase werden über MFC geregelt. Während des Prozesses werden alle Parameter in ein Rezept geschrieben und in der Datenbank abgespeichert. Parallel dazu erscheinen die aktuellen Werte für Druck, Gasfluss, Leistung usw. auf einer Anzeige, die bei Abweichungen vom Sollwert einen entsprechenden Alarm auslöst.

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Batch Wafer Anlagen

  • Plasmaanlage GIGAbatch 310M

    Die Plasmaanlage GIGAbatch 310M ist das Einstiegsmodell der GIGAbatch Produktfamilie. Als kleinstes System ist sie die kostengünstige Variante für die Verwendung in Labor und Universität. Mit ihr lassen sich aber auch schon in der Grundversion mit einem MFC-Gaskanal und dem 600W-Generator manuelle und automatische Plasmaprozesse fahren.

    • Ausführung des Basismodells als Tischversion; bietet Platz für einen zweiten Gaskanal
    • Die Kammer kann bis zu 25 Wafer mit 150 mm Durchmesser aufnehmen - entweder als Batch in einem Quarzboot oder als Einzelsubstrat mit speziellen Einrichtungen zur Beladung
    • Großes Angebot an Zubehör zur individuellen Konfiguration

    Für das Entfernen von SU-8 von einem Wafer ist eine Konfiguration mit speziellem Dichtungsmaterial, einer Kammer mit Kühlplatte und Umlaufkühler erhältlich.

  • Plasmaanlage GIGAbatch 360/380M

    Die Plasmaanlagen GIGAbatch 360M und 380M sind für die Ansprüche kleiner Produktionen mit geringen Anforderungen ausgelegt. Die Version 360 hat eine Prozesskammer mit 245mm Durchmesser und kann bis zu 50 Wafer mit 150mm Durchmesser aufnehmen. Bei der Anlage 380 hat die Kammer einen Innendurchmesser von 300mm und bietet somit Platz für 25 Wafer mit 200mm Durchmesser.

    Die Basisversion ist ein Standgerät mit lackierter Verkleidung, Stellfüßen und Transportrollen. Es verfügt bereits über einen Generator mit einer Leistung von 1000W, zwei MFC-Gaskanäle, eine Temperaturüberwachung für die Wafer und ein Endpunkterkennungssystem. Darüber hinaus ist eine Aufnahmeeinrichtung für die Wafer bzw. Substrate inbegriffen, die innen an der Kammertür montiert ist und nach den jeweiligen Kundenanforderungen ausgelegt wird.

    Auf Wunsch zusätzlich erhältlich:

    • Eine aktive Regeleinrichtung für den Prozessdruck (DSC)
    • Ein Faradaykäfig
    • Zusätzliche Gaskanäle
    • Beladeeinrichtungen für verschiedene Substrat- oder Wafergrößen
    • Eine Prozesskammer aus Keramit
    • Spezielle Dichtungen für den Betrieb mit fluorhaltigem Prozessgas
  • Plasmaanlage GIGAbatch 360/380P

    Die Plasmaanlage GIGAbatch 360P und 380P eignen sich für die anspruchsvollsten Anforderungen in der Halbleiterindustrie und nutzen dabei die gleiche Kammergeometrie. Das Modell 360P mit einem Kammer-Durchmesser von 245mm kann bis zu 50 Wafer mit 150mm Durchmesser aufnehmen. Beim System 380P hat die Kammer einen Innendurchmesser von 300mm und somit Platz für 25 Wafer mit 200mm Durchmesser. Der Unterschied zu den Systemen aus der M-Reihe besteht in der Kompatibilität der P-Systeme mit den Anforderungen von Reinräumen bis Klasse 100.

    Besonderes Augenmerk galt den Anforderungen von Produktionslinien bezüglich Partikelvermeidung und Metallkontamination.

    Diese Basisversion besteht aus:

    • Einem Standgerät mit Verkleidungen aus Edelstahl, Stellfüßen und Transportrollen
    • Sie verfügt über einen Generator mit einer Leistung von 1000 W, zwei Gaskanäle mit Faltenbalgventilen und MFC
    • Sie besitzt eine Temperaturüberwachung für die Wafer und ein Endpunkterkennungsysstem

    Die Prozesskammertür hat einen motorischen Antrieb und kann mit Aufnahmeeinrichtungen für Quarzboote verschiedener Größe ausgestattet werden, die innen an der Kammertür montiert und nach den jeweiligen Kundenanforderungen ausgelegt werden.

    Auf Wunsch zusätzlich erhältlich:

    • Eine aktive Regeleinrichtung für den Prozessdruck (DSC)
    • Ein Faradaykäfig
    • Beladeeinrichtung für verschiedene Substrat- oder Wafergrößen
    • Eine Prozesskammer aus Keramik
    • Spezielle Dichtungen für den Betrieb mit fluorhaltigem Prozessgas

    P-Modelle können mit einer automatischen Beladeeinrichtung ausgestattet werden, die selbständig die Wafer von der Kassette in die Prozesskammer lädt.

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